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RFプローブキット (RF Microwave Probe Kit)

メーカー名
カスケード・マイクロテック(株) (Cascade Microtech, Inc.)
型番
ZPROBE
設備画像
RFプローブキット
設置機関
京都大学
仕様・特徴
高周波対応のプローブ針。
・特性インピーダンス:50Ω
・周波数:DC~40GHz
・RF出力:MAX 5W@40GHz
・DC電流:MAX 1.5A
・DC電圧:MAX 100V
・ピッチ:250μm

ネットワークアナライザ (Vector Network Analyzer)

メーカー名
ローデ・シュワルツ・ジャパン(株) (ROHDE & SCHWARZ)
型番
ZVB14
設備画像
ネットワークアナライザ
設置機関
京都大学
仕様・特徴
測定可能周波数:10kHz~14GHz

半導体パラメータアナライザ (Semiconductor Parameter Analyzer)

メーカー名
ケースレーインスツルメンツ(株) (Keithley Instruments, Inc.)
型番
4200-SCS
設備画像
半導体パラメータアナライザ
設置機関
京都大学
仕様・特徴
最大200V印加、電流上限:2W/印加
電流最小分解能:0.1fA

強誘電体特性評価システム (Piezoelectric Properties Evaluation System)

メーカー名
㈱東陽テクニカ (TOYO Corporation)
型番
FCE-3
設備画像
強誘電体特性評価システム
設置機関
京都大学
仕様・特徴
㈱東陽テクニカ社製FCE-3
分極 ヒステリシス測定、誘電率測定
測定温度範囲20℃~500℃

接触式シート抵抗測定器 (4 Point Probe Sheet Resistance Measurement System)

メーカー名
ナプソン(株) (NAPSON CORPORATION)
型番
Cresbox
設備画像
接触式シート抵抗測定器
設置機関
京都大学
仕様・特徴
ナプソン株式会社 Cresbox
4探針法、10m~10MG/sq、2~8インチウェハ対応
マッピングソフトウェア

ナノ炭素燃料電池評価装置群 (Fuel cell evaluation systems)

メーカー名
東陽テクニカマイクロトラック・ベル (TOYO MICROTRAC MRB)
型番
AutoPEM-ER02AutoPEM-ER01BELSORP-miniⅡBELSORP-maxBELCAT-B
設備画像
ナノ炭素燃料電池評価装置群
設置機関
九州大学
仕様・特徴
【自動CV型燃料電池評価システム、燃料電池評価システム】
・燃料供給装置H2ガス1000 Ncc/min ~、Air 2000 Ncc/min~)
・DC分極電圧5 V~、電流±2 A~、自動電圧スイープ6 mV~60 V/min
・測定分解能:電流~1pA,電圧~1μV
【付帯装置:高精度ホットプレス SA-501テスター産業】

【触媒活性表面測定システム:BELSORP-miniⅡ、触媒分析装置 BELCAT-B】
・定容量式窒素ガス吸着法
・ 最大3検体同時測定(1つは参照)
・(比表面積:0.01 m2/g~、細孔径分布0.7~200 nm)
・解析プログラム:吸着等温線、BET比表面積自動解析、tプロット法等
・圧力計5台、0~133kPa、±0.25%
・圧力分解能 4Pa
・流通法 (室温~1200 ℃) TCD検出器
【ガス吸着装置BELSORP-max-12-SP】
・定容量式ガス吸着法
・最大3検体同時測定
・比表面積:0.01 m2/g ~ (N2)
・細孔径分布:0.35 - 500 nm
・N2、CO2、その他の非腐食性ガス
・解析プログラム:吸着等温線、BET比表面積自動解析、tプロット法等

半導体特性評価システム (Electrical Measurement System)

メーカー名
キーサイト (Keysight)
型番
B1500A
設備画像
半導体特性評価システム
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
IV測定、CV測定、高速パルスドIV測定に対応。
IV測定範囲;0.1fA~1A/0.5μV~200V
タイムサンプリング;100μs
パルス最小測定幅;100μs(MCSMU)
容量測定 周波数範囲;1kHz~5MHz
パルスド測定 波形生成分解能;10ns 測定分解能;5ns

パワーデバイス特性評価装置 (Power Device Electrical Measurement System)

メーカー名
キーサイト (Keysight)
型番
B1505A
設備画像
パワーデバイス特性評価装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
高電圧・高電流のIV測定、CV測定に対応。
電圧・電流特性: 印加電圧 3000V、電流 20A(パルスモード).
容量・電圧特性: 測定周波数 1kHz ~ 5MHz、最小分解能: 1mHz.

IRエミッション顕微鏡 (IR Emission Microscope)

メーカー名
浜松ホトニクス / TNSシステムズ / 東機通商 (Hamamatsu Photonics K.K. / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
型番
THEMOS-1000
設備画像
IRエミッション顕微鏡
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障個所を特定する高解像度エミッション顕微鏡。赤外線画像の観測により、発熱分布(温度分布)の検出や、電流リーク箇所の同定が可能。発熱分布の時間依存性計測により、温度の時間的な広がりが観測可能。パワーデバイス特性評価装置B1505Aと組み合わせることでプローバーとして利用可能。
検出波長:3.7μm~5.1μm
最大視野:3cm × 2cm
最小視野:0.7mm × 0.7mm
最小空間分解能:2.8μm
雑音等価温度差:25mK
時間分解能:3μsec.
ステージ温度:室温~200℃

極低温プローブステーション (Cryogenic Probe station )

メーカー名
ナガセテクノエンジニアリング / TNSシステムズ / 東機通商 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
型番
CMPS-308-4K-6P-20
設備画像
極低温プローブステーション
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
・さまざまな試作デバイスを極低温(~5K)から室温に至る広い温度領域での電気特性を低ノイズ状態で測定可能.
・計測器としてB2912A (2ch SMU、10fA, 210V)を設置. また、他の計測器(持込可)も接続可能.
冷却時間:40K台まで約4時間. 4K台までさらに1時間.
温度安定性:±0.2 K 以下.
電流ノイズ:±50 fA 以下、リーク電流:±50 fA 以下.
マニピュレータ:4基.
基板バイアス印加.
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