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共用設備検索結果

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半導体パラメータアナライザ (Semiconductor parameter analyzer)

設備ID
TU-327
設置機関
東北大学
設備画像
半導体パラメータアナライザ
メーカー名
Keysight (Keysight)
型番
B1500A SMU B1511B x4 GNDU
仕様・特徴
各種半導体集積回路特性評価

室温プローバー [MX-200/B] (Room Temp. Prober [MX-200/B])

設備ID
NM-630
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
室温プローバー [MX-200/B]
メーカー名
ベクターセミコン,アジレント・テクノロジー (Vector Semiconductor,Agilent Technologies)
型番
MX-200/B,B1500A
仕様・特徴
・用途:I-V/C-V特性評価
・プローブ:同軸プローブ
・マニピュレータ:4基
・I-V測定端子:4ユニット
・C-V測定端子:1ユニット
・最大試料サイズ:φ4inch
・その他:試料ステージ電圧印加可,除振台/シールドボックス装備

液体窒素プローバー [SB-LN2] (Liquid N2 Prober [SB-LN2])

設備ID
NM-631
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
液体窒素プローバー [SB-LN2]
メーカー名
サーマルブロック,ケースレーインスツルメンツ (Thermal Block,Kiethley Instruments)
型番
SB-LN2PS,4200-SCS
仕様・特徴
・用途:77K台から500KまでのI-V特性評価
・試料冷却方式:液体窒素
・プローブ:SMAプローブ
・マニピュレータ:4基
・I-V測定端:4ユニット
・最大試料サイズ:20mm角
・その他:77Kから500Kまで任意に温度設定可

4探針測定装置 (4-terminal prober)

設備ID
TU-320
設置機関
東北大学
設備画像
4探針測定装置
メーカー名
- (-)
型番
-
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ

拡がり抵抗測定装置 (Spreading resistance measurement)

設備ID
TU-321
設置機関
東北大学
設備画像
拡がり抵抗測定装置
メーカー名
Solid State Measurement (Solid State Measurement)
型番
SSM150
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片
ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定

極限環境下電磁物性計測装置 (Physical Property Measurement System (PPMS))

設備ID
UT-304
設置機関
東京大学
設備画像
極限環境下電磁物性計測装置
メーカー名
日本カンタム・デザイン (Quantum Design Japan)
型番
PPMS-14LHattt
仕様・特徴
□ 主な仕様
・14 T超伝導マグネット
・温度制御 1.9K~400K
・試料空間 25.4mm
□主な用途
・電気輸送特性評価
・磁気特性評価
・熱輸送特性評価など

環境制御マニュアルプローバステーション (Environmental control manual prober station)

設備ID
UT-305
設置機関
東京大学
設備画像
環境制御マニュアルプローバステーション
メーカー名
(東陽テクニカ等) (Toyo Corporation)
型番
①半導体特性評価システム4200-SCS ②強誘電体特性評価システムFCE1EEA-200型 ③誘電体インピーダンス測定システム1260 ④極低温プローバー装置CPX-VF
仕様・特徴
□ 主な仕様
・低温プローバ(CRX-4K):6K~350K
・高温プローバ(HCP-401/400):室温~400度
・半導体パラメータ測定(4200-SCS型)
・誘電体測定(FCE1EEA-200型)
・インピーダンス測定(ソーラートロン1260)
□主な用途
・ 強誘電体分極評価測定
・インピーダンス周波数測定
・キャパシタ周波数測定など

集積回路パターン微細加工(FIB)装置 (FIB for LSI Repair)

設備ID
UT-607
設置機関
東京大学
設備画像
集積回路パターン微細加工(FIB)装置
メーカー名
FEI (FEI)
型番
400ACE
仕様・特徴
LSI配線を効率的に修正するための装置です。DCG P2Xを置き換えました。ガスを利用した金属配線カット、絶縁膜堆積、金属配線堆積が可能。大規模集積回路(VLSI)の配線修正を最も得意とする装置です。それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析で公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。(案内します)

形状・膜厚・電気特性評価装置群 (Series of analysis equipments, visual, thickness, and electrical/mechanical characteristic.)

設備ID
UT-850
設置機関
東京大学
設備画像
形状・膜厚・電気特性評価装置群
メーカー名
キーエンス ブルカー 東朋テクノロジー ズースマイクロテック 日本分光 オリンパス (Keyence BRUKER Toho Technology SUSS MicroTec JASCO Olympus)
型番
VHX-6000 DektakXT Tohospec3100 Suss8”プローバ M-550 LEXT OLS5000
仕様・特徴
枝番1:顕微鏡
枝番2:触針段差計
枝番3:光干渉式膜厚測定装置
枝番4:Suss8”プローバ,針を当てて電気的特性を測定する装置。8インチ対応。
枝番5:分光エリプソメータ―
枝番6:レーザー顕微鏡

半導体パラメータアナライザー (Semiconductor Parameter Analyzer)

設備ID
UT-852
設置機関
東京大学
設備画像
半導体パラメータアナライザー
メーカー名
キーサイト (KEYSIGHT)
型番
B1500A
仕様・特徴
キーサイト
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