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共用設備検索結果

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屈折率測定装置(プリズムカプラ) (Refractometer (Prism Coupler))

メーカー名
メトリコン (Metricon)
型番
Model 2010/M
設備画像
屈折率測定装置(プリズムカプラ)
設置機関
公立千歳科学技術大学
仕様・特徴

形状解析レーザ顕微鏡 (3D laser scanning confocal microscope)

メーカー名
キーエンス (Keyence)
型番
VK-X100
設備画像
形状解析レーザ顕微鏡
設置機関
山形大学
仕様・特徴
レーザー共焦点光学系に高速XYスキャナーを組み合わせることで高解像度の合焦画像と試料の高さ(形状や荒さ)に関するデータを取得

触針式段差計 (Contact Profiler)

メーカー名
KLA テンコール (KLA-Tencor)
型番
Alpha-Step IQ
設備画像
触針式段差計
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:Alpha-Step IQ
・試料サイズ:4インチ
・測定再現性:1σ≤8Å
・膜厚測定範囲:400 μm
・走査距離:最大10mm
・走査速度:2~200 μm /sec
・サンプリングレート:50, 100, 200, 500, 1000ポイント /sec
・測定レンジ:20, 400 μm
・針圧設定範囲:1~100 mg

分光エリプソメータ (Spectroscopic Ellipsometer)

メーカー名
堀場 Jovin-Yvon (Horiba Jovin-Yvon)
型番
UVISEL-M200-FUV-FGMS
設備画像
分光エリプソメータ
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:UVISEL-M200-FUV-FGMS
・試料サイズ:150mmφ
・ステージ上下調整幅:20mm
・波長範囲:190~826nm(1.5~6.5eV)

単波長エリプソメータ (Single Wavelength Ellipsometer)

メーカー名
溝尻光学工業所 (Mizojiri-opt)
型番
DHA-XA2M
設備画像
単波長エリプソメータ
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:DHA-XA2M
・試料サイズ:4インチφ
・光源:He/Neレーザー(632.8nm)、LD830(830nm)
・測定方式:回転検光子法
・入射角度:55°~75°

位相変調型分光エリプソメーター (Spectroscopic Ellipsometer)

メーカー名
株式会社堀場製作所 (HORIBA, Ltd.)
型番
UVISEL LT NIR-NNG
設備画像
位相変調型分光エリプソメーター
設置機関
大阪大学
仕様・特徴
【特徴】
紫外~近赤外域まで測定可能な高精度分光エリプソメーターです。
高周波(50kHz)にて偏光変化を採取する位相変調機能を備えています。
【仕様】
照射領域:2×6mm
測定波長範囲:260~2100nm
光源:Xeランプ

接触式膜厚測定器 (Stylus Profiler)

メーカー名
ブルカージャパン株式会社 (Bruker Japan K.K.)
型番
DektakXT
設備画像
接触式膜厚測定器
設置機関
大阪大学
仕様・特徴
【特徴】
10nm以下の段差を測定できる触針式の膜厚測定器です。
3D機能を備えたプロファイリングシステムを搭載しており、3Dマッピングが可能です。
【仕様】
試料ステージ:150mmφ
分解能:0.4nm
垂直測定レンジ:1 mm
膜厚測定再現性(1σ):5Å
走査距離上限:55mm
触針圧:1mg~15mg

干渉式膜厚計 (Spectroscopic reflectometer)

メーカー名
ナノメトリクスジャパン (Nanometrics Inc)
型番
AFT 5000
設備画像
干渉式膜厚計
設置機関
広島大学
仕様・特徴
可視光及び紫外光光源、多層膜対応解析ソフト搭載。
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