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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID S-OS-132
分類 ものづくり・合成支援 > 薄膜作製支援
成膜・膜堆積 > スパッタリング
設備名 誘導結合型RFプラズマ支援スパッタ装置
(Inductively Coupled Plasma Radio Frequency Sputtering System)
地域 近畿
設置機関 大阪大学
研究分野 分子・物質合成
担当部署または担当者 樋口 宏二
仕様

株式会社アルバック
MB02-5002

  • 試料サイズ:max 2inch
  • 基板加熱温度:850℃
  • ガス種:Ar,O2
S-OS-132 S-OS-132 S-OS-132

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