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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-UT-116
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 高速シリコン深掘りエッチング装置
(Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine)
地域 関東
設置機関 東京大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

SPTS MUC-21 ASE-Pegasus
高密度プラズマにより(ICPパワー3kWまで。1800W常用)、低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。(例:当方のEBレジストを用い、scalloping100nm程度で100μm開口トレンチ20分エッチングで135μm)
4”装置
100nmクラス開口特殊レシピ有。また、SF6による「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用できます。

F-UT-116

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