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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-UT-111
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(その他)
設備名 川崎ブランチ化合物用エッチング装置
(Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System, Plasma Pro 100 ICP-180)
地域 関東
設置機関 東京大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

型式番号100-ICP- 180  Oxford Instruments
誘導結合プラズマ(ICP)によるエッチング装置です。
化合物半導体基板(GaAs, InP, GaN等)を得意とします。
4”丸型ウエーハ導入可能。
導入ガス種:Ar, O2, H2, CH4, N2, Cl2, SF6, He

F-UT-111

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