文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ! 研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます。

研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-UT-103
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 シリコン深掘りエッチング装置
(Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine)
地域 関東
設置機関 東京大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

特別な理由がない限り、MUC-21 ASE-Pegasusの利用をお願いしています。
型式番号:Alcatel MS-100
強力な誘導性結合プラズマ(ICP)発生機構を有した、シリコン専用深掘りエッチング装置です。
通常、コイルパワーを1.8kWで利用しており、一般の「深掘りRIE(600W程度の弱いパワーしか出ない装置が意外に多いです)に比べて、一段パワーの強いエッチングを行うことができます。
4”丸型ウエーハの入る装置です。エッチングレシピとしては、通常のボッシュプロセスに加え、東大拠点で開発した100nmクラス開口特殊レシピ有(詳細は相談ください)

F-UT-103

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