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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-TU-069
分類 成膜・膜堆積 > CVD(化学気相成長)、有機膜
設備名 熱CVD
(Thermal CVD)
地域 東北
設置機関 東北大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

国際電気 エピ炉

  • Poly-Si、Epi-polySi(低応力、50μmほどの厚膜)
  • ガス:SiH4、SiH2Cl2、PH3、B2H6、H2、HCl
  • 最高温度:1100℃
  • H2雰囲気中でのアニール
  • 4インチ×8枚/バッチ
  • 8インチ×4枚/バッチ
F-TU-069

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