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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-RO-364
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(その他)
設備名 エッチング装置(ICP Poly-Siゲート用)
(Inductively coupled plasma etcher for poly-Si)
地域 中国
設置機関 広島大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

YOUTEC社製
Cl2, O2, N2, HBr 使用可能 

F-RO-364

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