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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-RO-335
分類 成膜・膜堆積 > CVD(化学気相成長)、有機膜
設備名 LPCVD装置(SiN用)
(Low-pressure CVD reactor for SiN deposition)
地域 中国
設置機関 広島大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

東京エレクトロン社製
ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度750℃

F-RO-335

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