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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-NU-212
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置
(Inductive Coupled Plasma Etching System for High Temperature Processing)
地域 中部
設置機関 名古屋大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

Cl2あるいはBCl3ベースのプラズマエッチングにおいて、高温でのエッチングプロセスが可能
基板温度:200℃-600℃
使用ガス:Cl2、Ar、N2、BCl3、O2

F-NU-212

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