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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-KT-301
分類 切削、研磨、接合 > 接合・貼り付け・ダイボンダ
設備名 ウエハ接合装置
(Surface Activated Wafer Bonder)
地域 近畿
設置機関 京都大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 京大ナノハブ
仕様

ボンドテック社製 WAP-100

  • ワーク寸法
      チップ寸法 □3mm~□30mm  厚み0.5~15mm
      ウエハー寸法 4インチ  厚み0.2~5mm
      ガラスセル □10mm~□30mm立方体
  • アライメント精度  設定分解能  ±2μm 
  • 加圧機能  Max.200N 
  • 加熱機能
     ウエハヒータ  上下  60~450℃
     チップヒータ  上部  60~600℃
  • 対応接合方式
        シーケンシャルプラズマ、ハイブリッドボンディング、陽極接合
F-KT-301

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