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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-KT-299
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 ICP-RIE装置
(Inductive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)
地域 近畿
設置機関 京都大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 京大ナノハブ
仕様

ULVAC社製 NE-730

  • 試料サイズ  4インチ 
  • 対応基板  Si, ガラス 等 
  • エッチング可能材料(実績のあるもの)
     Si, SiO2,SiN, 強誘電材料 
  • エッチングガス  SF6, CF4, CHF3, C4F8, Ar, O2
F-KT-299

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