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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-KT-293
分類 リソグラフィ・露光・描画装置 > 電子線描画(EB)
設備名 EB露光装置
(Electron Beam Lithography)
地域 近畿
設置機関 京都大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 京大ナノハブ
仕様

東京テクノロジー社製 BEAM DRAW
    描画方式:ラスター描画
    加速電圧 
  0.5~3kV;0.1kステップ(26段)
  5~30kV;5kVステップ(6段) 
最少電子ビーム径  約10nm 
描画最小線幅  約0.1μm 
SEMのスキャニングユニットで一度に描画できる範囲
    最大2mm×2mm(収差を無視すれば3mm×3mm)

F-KT-293

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