文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ! 研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます。

研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-KT-249
分類 膜加工・エッチング > ウエット/ガスエッチング,洗浄
設備名 シリコン犠牲層ドライエッチングシステム
(Vapor XeF2 Release Etcher)
地域 近畿
設置機関 京都大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 京大ナノハブ
仕様

XACTIX社製 Xetch X3B

  • 基板 最大Φ6インチ
  • 用途:フッ化キセノン(XeF2)によるシリコンドライエッチング
  • SiO2、Si3N4 Al等のマスク、下地材料に対し、高い選択比
F-KT-249

この設備に関するお問い合わせ先

本研究設備の詳細や利用方法等は、問い合わせフォームよりお問い合わせください。

設置機関Webサイト 設置機関Webサイト   この設備について問い合わせる この設備について問い合わせる(設置機関への問い合わせフォーム)