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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-KT-246
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 ドライエッチング装置
(Capacitive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)
地域 近畿
設置機関 京都大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 京大ナノハブ
仕様

サムコ(株)社製 RIE-10NR-KF

  • 基板サイズ MAX Φ8"ウエハ x 1枚
  • 供給ガス  CF4、CHF3、O2
  • 用途 SiO2,Si3N4,アッシング  ほか
F-KT-246

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