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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-KT-243
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 深堀りドライエッチング装置1
(Reactive Ion Deep Silicon Etcher-1)
地域 近畿
設置機関 京都大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 京大ナノハブ
仕様

サムコ(株)社製  RIE-800iPB-KU

  • ボッシュプロセス  
  • 基板サイズ Φ4"ウエハ,Φ6"ウエハ*  用途Si
    (* JEIDA規格において一部制限あり) 
  • ガス導入系  SF6  C4F8  O2  Ar  
  • エッチング性能(参考値)
        エッチングレート:55μm/min
        選択比:200(PR),300(SiO2
F-KT-243

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