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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-KT-222
分類 リソグラフィ・露光・描画装置 > 電子線描画(EB)
設備名 高速高精度電子ビーム描画装置
(Ultra-High Precision Electron Beam Lithography)
地域 近畿
設置機関 京都大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 京大ナノハブ
仕様

(株)エリオニクス社製  ELS-F125HS

  • 加速電圧125kV,100kV,75kV,50kV,25kV
  • 最少電子ビーム径 1.7nm(於125kV) 
  • 描画最小線幅 5nm(於125kV) 
  • 描画フィールドサイズ:
    最大2,400μm×2,400μm(於25kV)
    1,200μm×1,200μm(於75,50,25kV)
    600μm×600μm(於125kV,100kV)
  • 最大試料サイズ 8インチΦウェハー又は8インチ□マスク
F-KT-222

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