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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-IT-131
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 リアクテブイオンエッチング装置
(Reactive Ion Etcher)
地域 関東
設置機関 東京工業大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

サムコ製 RIE-10NR

  • 各種シリコン薄膜(Si, SiO2, poly-Si, Si3N4等)の高精度エッチング装置
  • グラフィックタッチパネルによる全自動運転
  • 最大φ8インチウエハー加工可能
  • 高速排気エッチング
  • ガス:CH4,H2,O2,Ar  ・エッチングレートInP:160nm(5min)
F-IT-131

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