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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-GA-332
分類 成膜・膜堆積 > スパッタリング
設備名 デュアルイオンビ-ムスパッタ装置
(Dual ion beam sputtering system)
地域 四国
設置機関 香川大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

ハシノッテク社製デュアルイオンビ-ムスパッタ装置
 10W-IBS
 熱陰極型イオン源:2基(50~1000eV)
 基板加熱温度:最大700゜C

F-GA-332

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