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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-GA-321
分類 成膜・膜堆積 > 蒸着(抵抗加熱、電子線)
設備名 真空蒸着装置
(Vacuum evaporation system)
地域 四国
設置機関 香川大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

ULVAC社製真空蒸着装置 
    VPC-1100
    到達真空度:5×10-5Pa
    成膜実績:Au,Ti,Cr,Al
    試料台:2.5インチ
    膜厚:0.001μm~
    膜厚制御:0.01nm/s

F-GA-321

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