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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-FA-359
分類 成膜・膜堆積 > CVD(化学気相成長)、有機膜
設備名 ケミカルプロセス装置群
(Plasma CVD)
地域 九州・沖縄
設置機関 北九州産業学術推進機構
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 半導体・エレクトロニクス技術センター
安藤秀幸
仕様

4.プラズマCVD
【sumco:PD-220】
Si系薄膜の堆積
基板加熱:~350℃
RF出力:~300W
対応試料:
2”Φ×7    3”Φ×4
4”Φ×3    6”Φ×1
8”Φ×1
各種不定形試料

F-FA-359

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