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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-FA-358
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 ケミカルプロセス装置群
(Reactive Ion Etcher)
地域 九州・沖縄
設置機関 北九州産業学術推進機構
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 半導体・エレクトロニクス技術センター
安藤秀幸
仕様

5.リアクティブイオンエッチャー
【samco:RIE-10NR】
Si系薄膜の反応性イオンエッチング,レジストのアッシング等
RF出力:~300W
対応試料:
2”Φ×7    3”Φ×4
4”Φ×3    6”Φ×1
8”Φ×1,
各種不定形試料

F-FA-358

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