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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-FA-357
分類 成膜・膜堆積 > スパッタリング
設備名 ケミカルプロセス装置群
(Sputter)
地域 九州・沖縄
設置機関 北九州産業学術推進機構
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 半導体・エレクトロニクス技術センター
安藤秀幸
仕様

4.スパッタ
【ANELVA:EB1100】
Al系薄膜のスパッタリング(Ar)
RF出力範囲:~800W
昇温可能範囲:~300℃
電極間距離:100~150mm
対応試料:2”Φ×8、4”Φ×3

F-FA-357

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