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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-BA-092
分類 成膜・膜堆積 > スパッタリング
設備名 スパッタリング装置
(Sputtering System)
地域 関東
設置機関 筑波大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 数理物質エリア支援室 加藤一郎
数理物質エリア支援室 手塚陽子
数理物質エリア支援室 桑原海鷹
仕様

CFS-4EP-LL(i-miller)/芝浦メカトロニクス社
・ スパッタ方式:マグネトロン・サイドスパッタ  RF500W (DC)
・ スパッタ源:3インチ×4(強磁性体材料用GUN1基含む)、逆スパッタ可
・ サンプルホルダ:最大φ220 mm/最小20 mm
   (4インチウエハ用および不定形用ホルダあり)
・ 加熱温度:室温~300℃
・ 到達真空度・時間:10-5 Pa、10分以内に7 x 10-3 Pa
・ 排気系:ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ
・ 操作方式:全自動(レシピ設定可)
・ プロセスガス:Ar、N2、O2

F-BA-092

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