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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-BA-107
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 反応性イオンエッチング装置
(Reactive Ion Etching System)
地域 関東
設置機関 筑波大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 数理物質エリア支援室 加藤一郎
数理物質エリア支援室 手塚陽子
数理物質エリア支援室 桑原海鷹
仕様

サムコ社製RIE-10NR
(各種シリコン薄膜用Reactive Ion Etching装置)

  • 8インチウエハ対応
  • 高周波出力;300W
  • 発振周波数;13.56MHz
  • ガス;CF4、CHF3、O2
F-BA-107

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