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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-095
分類 成膜・膜堆積 > CVD(化学気相成長)、有機膜
設備名 プラズマCVD装置
(Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition System; P-CVD)
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

サムコ社製TEOS CVD装置。8インチまで対応。

本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。
RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300[W]となっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400[℃]まで昇温が可能です。

  • 電極間隔:25mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
  • ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(MAX400[℃])
  • RF電源:13.56[MHz]水晶発振(MAX300[W] ソリッドステート方式)
  • 導入ガス:C2F6(MAX100sccm),O2(MAX1000sccm),TEOS(MAX30sccm)
  • ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
  • 排気系:ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ
  • オートプレッシャーコントローラー:コンダクタンス可変型
  • 有効成膜範囲:φ220mm
F-AT-095

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