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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-088
分類 膜加工・エッチング > 集束イオンビーム加工
形状・形態観察、分析 > 走査電子顕微鏡(SEM)
試料作製装置 > 集束イオンビーム(FIB)
走査電子顕微鏡 > 電界放出型走査電子顕微鏡
表面分析装置 > 走査型電子顕微鏡
設備名 FIB-SEM複合装置
(Focused Ion Beam and Scanning Electron Microscope system)
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

日立ハイテクサイエンス社製  XVision200DB型

ガリウムイオンビームとエレクトロンビームを集束/走査することで、SIM(Scanning Ion Microscopy) によるイオン励起二次電子像、及び 同一真空チャンバー内にあるFE-SEM(Field Emission-Scanning Electron Microscopy)による電子励起二次電子像や電子励起反射電子像の観察を行いながら、ガリウムイオンビームによる任意の箇所でのナノサイズ・マイクロサイズのミリング加工や、イオンビームアシスト/エレクトロンビームアシストによる任意の箇所でのカーボンやタングステンの化学気相成長を行うことができる。そのほか同一真空チャンバー内にある2マニュピレータプローブによる電圧印加とSIM観察やFE-SEM観察を行いながら、ボルテージコントラスト解析を行うことができる。

  • イオン源:  ガリウム液体金属イオン源
  • 電子銃:  ショットキー電界放出型
  • 加速電圧:  FIB (SIM) 1~30 kV, FE-SEM 1~30 kV
  • 像分解能:  FIB (SIM) 4 nm @ 30kV, FE-SEM 3 nm @ 5kV
  • 検出器:  Chamber SE検出器, In-Lens SE検出器, EsB反射電子検出器
  • イオンビーム電流:  0.1nA~45nA
  • ガス供給システム:  カーボン(フェナントレン), タングステン(タングステンカルボニル)
  • マニュピレータシステム:  2プローブ
  • 試料ステージ制御:  5軸ユーセントリックチルトステージ
  • ステージ傾斜角度:  最大45°(ツインマニュピレータプローブ仕様のため)
  • 試料サイズ:  幅200mmφ以下, 高さ5mm以下 (高低差0.2mm以内)
F-AT-088

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