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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-071
分類 膜加工・エッチング > 集束イオンビーム加工
試料作製装置 > 集束イオンビーム(FIB)
設備名 集束イオンビーム加工観察装置(FIB) 及び イオンスパッタ(FIB付帯装置)
(Focused Ion Beam System)
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

日立ハイテクノロジーズ社製FB-2100 (大電流及び低加速電圧対応)型

ガリウムイオンビームを集束/走査することで、SIM(Scanning Ion Microscopy) によるイオン励起二次電子像の観察を行いながら、任意の箇所でのナノサイズ・マイクロサイズのミリング加工や、イオンビームアシストによる任意の箇所でのタングステンの化学気相成長を行うことができる。そのほか同一真空チャンバー内にあるマニュピレータプローブと、SIM観察、ミリング加工、タングステン成長を組み合わせることで様々な作製プロセスが行うことができる。

  • イオン源:  ガリウム液体金属イオン源
  • 加速電圧:  2kV, 5kV, 10kV~40 kV (低加速電圧対応)
  • 像分解能:  6 nm (SIM)
  • ビーム径:  3µm, 1.3µm, 600 nm, 320 nm, 120 nm, 60 nm, 10 nm
  • イオンビーム電流:  0.1nA~68nA (大電流対応)
  • ガス供給システム:  タングステン(タングステンカルボニル)
  • マニュピレータシステム:  シングルプローブ
  • 試料ステージ制御:  5軸チルトステージ
  • ステージ傾斜角度:  最大45°
  • 試料サイズ:  幅φ18mm以下, 高さ10mm以下

及び付帯装置 日立ハイテクノロジーズ社製 E-1045型 イオンスパッタ

  • ダイオード放電マグネトロン形/対向平行円板
  • 試料サイズ:  幅φ60mm以下、高さ20mm以下
F-AT-071 F-AT-071

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