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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-131
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 化合物半導体エッチング装置(ICP-RIE)
(ICP-RIE (Compound Semiconductors))
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした反応性イオンエッチング装置です。本装置は、独自のトルネード型コイル電極の採用により、均一な高密度プラズマを発生させることが可能です。主に化合物半導体および各種金属膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。

●型式: RIE-400iPS
●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
●試料サイズ: 4インチウェハまで対応
●試料導入方式: ロードロック式
●ICP高周波電源: 最大1kW 、13.56MHz
●バイアス高周波電源: 最大300W、13.56MHz
●使用ガス: Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4

F-AT-131

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