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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-129
分類 成膜・膜堆積 > スパッタリング
設備名 RF・DCスパッタ装置(ULVAC)
(RF-DC Sputtering System (ULVAC))
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

この装置は、スパッタリング現象を利用して、薄膜を作製するためのものです。
マグネトロンカソードを4インチ3式、3インチ1式装備しています。
構成は、RF用非磁性3インチ×1、非磁性4インチ×1およびDC用非磁性4インチ×1、強磁性4インチ×1となっております。
積層成膜、RF/DCの同時放電が可能となっており、この搭載されているRF電源において、基板バイアスの印加も可能となっています。
基板加熱機構を有しており、最高加熱温度は500℃までとなります。

3インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(強磁性)
計4カソード
スパッタ電源:RF電源×1台(1kW)、DC電源×1台(2kW)
基板テーブル:回転加熱逆スパッタテーブル方式
基板寸法と間隔:寸法・200mm以下 ターゲット-基板間隔:120mm
加熱温度:最大500℃
膜厚分布:±5%以内(φ180mm範囲内)
到達真空度:3.5×10E-5Pa プロセスガス:Ar、O2、N2 パージガス:窒素ガス

F-AT-129

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