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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-126
分類 成膜・膜堆積 > CVD(化学気相成長)、有機膜
設備名 プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)
(Plasma-assisted CVD (SIN))
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、TEOSからSiO2を、

SN-2(液体有機ケイ素化合物)からSi3N4を成膜することができます。RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300[W]となっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大350[℃]まで昇温が可能です。

〇型番:PD-220NS

〇成膜種:SiO2, Si3N4

〇電極間隔 : 25mm (上部電極 : Al製、下部電極:SUS製)

〇ステージ加熱機構 : 抵抗加熱方式 (MAX350[℃])

F-AT-126

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