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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-123
分類 リソグラフィ・露光・描画装置 > 電子線描画(EB)
設備名 電子線描画装置
(Electron Beam Writer)
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

細く絞った電子線を基板表面に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。その分解能は電子線のビーム径に依存します。電子線をスポット照射させる加工方法である為、加工時間は、微細かつ加工領域が大きくなるほど長くなります。試料は最大40 mm□基板まで扱えます。走査範囲は一辺が最大500 μmの正方形で、描画方式により若干異なりますが、画素数は標準10000ドットです。

  • 型式:S-3000H(日立ハイテク)、Beam Draw(東京テクノロジー)
  • 電子銃:熱電子放射型Wヘアピンフィラメント 
  • 最小スポット直径:約30 nmΦ(加速電圧20 kV、ビーム電流0.1 nA) 
  • 描画可能な最小線幅:100 nm(レジスト膜厚100 nm)
  • 走査方式:ラスター走査 
  • 走査領域:最大500 μm□ 
  • つなぎ合わせ描画領域:最大40 mm□ 
  • つなぎ合わせ精度:300 nm以下 
  • 重ね合わせ精度:400 nm以下 
  • 試料寸法:最大40 mm□
F-AT-123

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