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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-119
分類 成膜・膜堆積 > スパッタリング
設備名 多元同時スパッタ装置
(Multi-Target Sputter Deposition System)
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

この装置は複数のソースを同時にスパッタすることが可能です。膜厚分布は±5 %以内(5インチ基板にSiO2を堆積した場合)です。また、基板とソースとの距離(TS間距離)が可変のソース(RF仕様)が1基搭載されており、最適なTS間距離の調整が可能です。不定形基板を固定する治具が用意されており、様々な形状の基板に対応しています。また、強磁性体の成膜も可能です。

  • スパッタソース:4基(RF×2基、DC×2基)
  • ロードロックチャンバ装備 
  • DC電源:MAX 500W 
  • RF電源:MAX 500W
F-AT-119

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