文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ! 研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます。

研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID A-UT-080
分類 試料作製装置 > 試料作製装置群
試料作製装置 > イオンミリング
膜加工・エッチング > ドライエッチング(その他)
設備名 クロスセクションポリッシャー(CP)JEOL SM-090010,090020
(Cross Section Polisher(CP) SM-090010,090020(JEOL))
地域 関東
設置機関 東京大学
研究分野 微細構造解析
担当部署または担当者
仕様

【仕  様】
イオン加速電圧:2 ~ 6 kV
イオンビーム径半値幅:500 µm(加速電圧:6kV, 試料:Si)
ミリングスピード:1.3 µm/min以上(加速電圧:6kV, 試料:Si)
最大搭載試料サイズ:11mm×9mm×2mm
試料移動範囲:X軸±3mm  Y軸:±3mm
試料角度調節範囲:±5°
使用ガス:アルゴンガス

【特  徴】
表面に対して垂直な断面が制作可能。

A-UT-080

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