文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ! 研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます.

研究分野から探す

プラットフォームから探す

研究機関から探す

関連リンク

このサイトについて

中分類検索結果

大分類:切削、研磨、接合

切削、研磨、接合

半導体集積回路ではウェハー上に同時に多くの回路を形成し,その回路を個々に分割してチップとしてパッケージに搭載する.この個々に分割することをダイシングと云い,分割する手段として,ダイシングソーによる切断もあるが,ウェハー表面に溝をつけ(スクライビング)て割ることが行われている.分割されたチップを一つ一つパッケージ基板に張り付けるのがダイボンダーである.集積回路の製造過程で工程を重ねるに際し,表面の平坦化を図るためにCMP(化学機械研磨)が使われる.

該当する中分類件数:3件

接合・貼り付け・ダイボンダ

半導体ウェハー同士の直接接合には「拡散接合」と「常温接合」がある.前者は基板を密着させ圧力と熱を加えることにより,接合面で原子の拡散が起こり接合される.後者は高真空中で接合する基板表面にイオンビームなどをあてダングリングボンドを形成し活性化することで,常温で強固な接合が得られる.また,シリコン基板とシリコンの熱膨張係数が近いガラスを接合する方法として「陽極接合」という方式がある.ダイボンダは,リードフレームやICパッケージの基板部にICチップを設置ボンディングする装置である.

ダイシング、スクライバ

ダイシングは半導体のウェハー上に形成された集積回路などを,ダイシングソーでウェハーを切削して切り出し,チップ化する工程.チップの切り出し法としてはスクライバーによりウェハー表面の切断位置を決めて浅い切れ込みの溝を作りウェハーを割る方式がよく使われる.

CMP(化学機械研磨)

CMP(Chemical Mechanical Polishing)は,IC製造工程におけるウェーハ表面の平坦化技術の一種で,化学研磨剤,研磨パッドを使用し,化学作用と機械的研磨の複合作用で,ウェーハ表面の凹凸を削って平坦化する装置である.