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大分類:成膜・膜堆積

成膜・膜堆積

半導体デバイス等の機能を発現するために半導体,絶縁体,金属などの薄層をチップ上に重ねて形成する.また保護膜のニーズもある.膜形成材料,膜の厚さ,品質・精度などの要求条件に対応できる各種成膜・堆積技術がある.成膜・堆積技術としては,気相法の他に,メッキなどのように液相法もある.なお,堆積とパターン形成を同時に行うもの,例えば印刷技術などはリソグラフィー・露光・描画装置の大分類に入っている.

該当する中分類件数:7件

蒸着(抵抗加熱、電子線)

真空蒸着装置は真空にした容器の中で,蒸着材料を加熱などにより気化もしくは昇華して,離れた位置に置かれた基板の表面に付着させ,薄膜を形成する装置である.加熱手段には抵抗加熱,電子ビーム照射,高周波誘導,レーザー照射などの方法がある.真空蒸着法の長所は,膜の厚さの微妙なコントロールができることである.可能な蒸着材料はAl,Ag,Au,Ti,Ni,Cu,Cr,Sn,Inなどの金属およびAl2O3,SiO2などの酸化物である.

スパッタリング

ターゲット(物質)にArなどの不活性な物質を高速で衝突させ,ターゲットを構成する原子や分子を叩き出し,この叩き出された原子や分子を基板上に付着させ薄膜を形成する技術をスパッタリングという.基板への付着力の強い膜の作製,合金系や化合物のターゲットの組成比をほぼ保ったまま膜作製が可能,融点の高い物質でも堆積が可能,スパッタするガスに反応性のガスを混合することによって,酸化物,窒化物の薄膜の作成も可能などの特徴がある.

CVD(化学気相成長)、有機膜

CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相堆積)法は原料をガスや蒸気にして,加熱した半導体の基板上に化学反応により結晶や非晶質を堆積する方法.原料物質を含むガスに,熱や光によってエネルギーを与えたり,高周波でプラズマ化したりすることにより,原料物質をラジカル化して化学反応を活性化している.

MBE(分子線エピタキシー)

分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy:MBE)とは,超高真空中で,複数の蒸発源から分子(原子)線を発生させて,加熱して清浄化された基板結晶上で反応させ,基板結晶と原子配列のそろった結晶を成長させる(エピタキシャル成長)技術である.シャッターを開閉することで簡単に原料の供給を制御でき,複数の原料を切り替えて組成の異なる半導体層を積層することも容易である.

原子層堆積(ALD)

原子層堆積装置(Atomic Layer Deposition:ALD)は,真空容器内に設置した基板上に,原料化合物の分子を1層ごとに表面に吸着,反応による成膜,パージによる余剰分子の除去のサイクルを繰り返し行うことにより,原子層を一層づつ積み上げる装置である.

めっき

めっき(plating)は,金属などの材料の表面に,金属の薄膜を被覆する表面処理をいう.一般には電解液で電流を流してカソード電極となる材料表面に金属を析出させる.また,電流を流さず,化学反応により金属を析出する無電解めっきがあり,この場合は対象物は金属に限らない.

光三次元造形

コンピュータで作成した三次元のCAD データを光造形装置に送信し,紫外線硬化樹脂で原型を作成する技術である.コンピュータで設計したデータのまま造形される.