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大分類:リソグラフィ・露光・描画装置
研究機関:筑波大学
研究分野:微細加工

リソグラフィ・露光・描画装置

半導体デバイス等の製作において,微細デバイスや回路の設計パターンをチップ上に形成するために,半導体ウェハー上に塗布したレジスト膜に光によってパターンを焼きこむ描画工程がリソグラフィーであり,その光の露光方式が,パターン精度やスループットに対応して各種ある.また,最近は高価な露光装置を用いない印刷技術(ナノインプリント)や液滴吐出(インクジェット)による簡易な描画技術が開発されている.

該当する中分類件数:4件

光露光(マスクアライナ)

マスクアライナーとは紫外線を用いて試料に微細なパターンを転写・焼付する装置である.一般的にはレジストを塗った試料上にフォトマスクを配置させ,上から紫外線を照射する.露光方式には,密着露光,近接露光(以上コンタクト方式),レンズを用いた等倍投影露光,縮小投影露光方式がある.また,両面アライメント機能を持ったものもある.

光露光(マスクレス、直接描画)

マスクレス露光装置は,PC上で作画した任意のパターンデータを,フォトマスクを用いることなく直接基板上のフォトレジストに転写できる露光装置である.He-Cdレーザー(λ=442nm)などの光源を用い,最少描画パターン1μm程度を実現している.マスクを作る必要がないので,研究開発試作や少量カスタム生産に適している.MEMSデバイス パターンの直接描画や,露光用マスクパターン作製に使用されている.

電子線描画(EB)

電子線描画は,電子銃から発せられた電子線を電子レンズや,偏向器などを通し,微細に制御されるX-Y-Zステージ上の試料に照射して目的のパターンを描画する.ビーム径はnmオーダーであり,数十nm~数nmの微細パターン描画が可能である.可変整形ビーム型では電子ビームを途中のアパーチャーで矩形にして,照射ビーム断面積を大きくして,描画速度を高めている.電子線露光装置は露光用マスク(レチクル)の作製に使われるが,研究開発用や少量生産用のデバイスの直接描画に適している.

液滴吐出型描画装置

インクジェットプリント方式の描画装置である.超微量・高粘度吐出の可能なスーパーインクジェットヘッドにより,大気圧・常温下で微細なパターンを直接描画することができるものもある.最少タイン幅0.6μmで,導電性ペースト,絶縁性インク,レジスト,接着剤,タンパク質,溶剤系などを吐出できる.