文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ! 研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます.

研究分野から探す

プラットフォームから探す

研究機関から探す

関連リンク

このサイトについて

中分類検索結果

大分類:リソグラフィ・露光・描画装置

リソグラフィ・露光・描画装置

半導体デバイス等の製作において,微細デバイスや回路の設計パターンをチップ上に形成するために,半導体ウェハー上に塗布したレジスト膜に光によってパターンを焼きこむ描画工程がリソグラフィーであり,その光の露光方式が,パターン精度やスループットに対応して各種ある.また,最近は高価な露光装置を用いない印刷技術(ナノインプリント)や液滴吐出(インクジェット)による簡易な描画技術が開発されている.

該当する中分類件数:7件

光露光(マスクアライナ)

マスクアライナーとは紫外線を用いて試料に微細なパターンを転写・焼付する装置である.一般的にはレジストを塗った試料上にフォトマスクを配置させ,上から紫外線を照射する.露光方式には,密着露光,近接露光(以上コンタクト方式),レンズを用いた等倍投影露光,縮小投影露光方式がある.また,両面アライメント機能を持ったものもある.

光露光(ステッパ)

ステッパーは半導体素子製造に使われる縮小投影型露光装置で,マスクのパターンを投影レンズにより1/4から1/5に縮小してレジストを塗布したウエハ上に転写するに際して,転写の1ショットごとにウエハ上を移動して同一マスクパターンを同じウエハ上に多数転写する方式である.

光露光(マスクレス、直接描画)

マスクレス露光装置は,PC上で作画した任意のパターンデータを,フォトマスクを用いることなく直接基板上のフォトレジストに転写できる露光装置である.He-Cdレーザー(λ=442nm)などの光源を用い,最少描画パターン1μm程度を実現している.マスクを作る必要がないので,研究開発試作や少量カスタム生産に適している.MEMSデバイス パターンの直接描画や,露光用マスクパターン作製に使用されている.

電子線描画(EB)

電子線描画は,電子銃から発せられた電子線を電子レンズや,偏向器などを通し,微細に制御されるX-Y-Zステージ上の試料に照射して目的のパターンを描画する.ビーム径はnmオーダーであり,数十nm~数nmの微細パターン描画が可能である.可変整形ビーム型では電子ビームを途中のアパーチャーで矩形にして,照射ビーム断面積を大きくして,描画速度を高めている.電子線露光装置は露光用マスク(レチクル)の作製に使われるが,研究開発用や少量生産用のデバイスの直接描画に適している.

ナノインプリント(NIL)

ナノインプリント技術とは,ナノスケールの凹凸パターンを形成したテンプレートを樹脂薄膜が塗布された基板に押し当てて,樹脂薄膜に凹凸パターンを転写する成形加工技術で,熱式,光式,熱シート式等がある.熱式は,被転写材料である熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上まで加熱し,軟化させた後,テンプレート,を押し付け,光式は,樹脂材料に光硬化性樹脂を使用し,透明テンプレートをプレスし,紫外光(UV光)を照射することで樹脂を硬化させ転写する.ナノレベルの高精度加工が実現可能.熱シート式は,加熱フィルム上にプリントするもので,ロール・ツー・ロール方式が可能.

液滴吐出型描画装置

インクジェットプリント方式の描画装置である.超微量・高粘度吐出の可能なスーパーインクジェットヘッドにより,大気圧・常温下で微細なパターンを直接描画することができるものもある.最少タイン幅0.6μmで,導電性ペースト,絶縁性インク,レジスト,接着剤,タンパク質,溶剤系などを吐出できる.

レジスト塗布・現像装置

ホトリソグラフィーにおいて露光前にウェハにレジストを塗布する方法として一般にスピンコートを行う.平坦面に均一にレジスト薄膜を形成するために,ウェーハ上にホトレジスト液を一定量滴下し,ウェーハを高速回転し,遠心力によって塗布する.なお,表面に凹凸がある場合はこの方式は適用できず,スプレー方式でレジストを塗布する.露光後,現像プロセスを経て,パターンを形成する.