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イベント詳細情報

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件名電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
開始日時2018/06/25 11:00
終了日時2018/06/25 16:55
場所名古屋大学 ベンチャービジネスラボラトリー ベンチャーホール3F
連絡先rihito.kuroda.e3(at)tohoku.ac.jp
詳細 「MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術」を議題とする研究会.「反転層チャネルダイヤモンドMOSFET~ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成~」はじめ3件の依頼講演,「オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価」はじめ9件の一般講演を予定.

【主催】電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

詳しくは,URLをご参照ください.
【URL】https://www.ieice.org/ken/program/index.php?tgs_regid=a0aea6e72b0178d257afdd12c28250ee6ac354687976c7232252b38a8f5d1a43&tgid=IEICE-SDM&lang=