<拡大>
 

イベント詳細情報

印刷
件名第149回 結晶工学分科会研究会
開始日時2018/06/15 13:00
終了日時2018/06/15 17:55
場所名古屋大学東山キャンパスES総合館ES会議室
連絡先kurihara.kaori.mp(at)m-chemical.co.jp
詳細 研究会テーマ:「GaN on GaNパワーデバイスにむけて~p型GaNの結晶工学~」.p型GaN中の結晶欠陥,Mgイオン注入p型GaNを用いたデバイス,p型GaN上のMOS特性などをテーマに取り上げ,結晶成長,デバイスプロセス,物性評価,欠陥制御など多面的に議論を行う.

【主催】応用物理学会 結晶工学分科会

【参加費】結晶工学分科会会員:3,000円,結晶工学分科会学生会員:1,000円,応用物理学会会員(分科会員でない場合):7,000円,一般:10,000円,一般学生:2,000円

【参加申込方法】オンライン登録 

詳しくは,URLをご参照ください.
【URL】https://annex.jsap.or.jp/kessho/contents/2018/kenkyu180615.html