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イベント詳細情報

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件名電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
開始日時2017/10/25 14:00
終了日時2017/10/26 14:30
場所東北大学未来情報産業研究館5F大会議室
連絡先rihito.kuroda.e3(at)tohoku.ac.jp
詳細 「プロセス科学と新プロセス技術」を議題とする研究会.4件の招待講演:「段差ゼロの平坦化技術:CMP前のPMD体積調整」「HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討」「ビックデータの活用によるメモリ製造革新」「28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いたエラーフリー読み出し方法を有するPUF技術」,及び「Experimental Investigation of Localized Stress Induced Leakage Current Distribution and its Decrease by Atomically Flattening Process」に始まる7件の一般講演を予定.

【主催】電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

詳しくは,URLをご参照ください.
【URL】http://www.ieice.org/ken/program/index.php?tgs_regid=ba2f7235a66043864fefc64fe812c7c1c4ae3be751c91019d8410894ee9f8724&tgid=IEICE-SDM&lang=