<拡大>
 

イベント詳細情報

印刷
件名応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回研究会
開始日時2017/09/04 13:00
終了日時2017/09/04 17:00
場所リファレンス駅東ビル 3F 会議室H-2
連絡先mikamura-yasuki(at)sei.co.jp
詳細 「SiCパワーMOSFETに残された課題」をテーマに,ゲート電圧の範囲や,ボディダイオードのオン電圧や通電劣化など,Si-MOSFET,IGBTと比較して,使い方に注意が要なSiCパワーMOSFETを使いやすくするために,現状を報告し,今後解決すべき課題及びその展望について討論する.「ボディダイオードの順方向通電劣化抑制のためのバッファ層技術」をはじめ7件の講演を予定.

【主催】応用物理学会 先進パワー半導体分科会

【参加費】先進パワー半導体分科会会員:2,000円,分科会学生会員:1,000円,一般:4,000円,一般学生:1,000円

【参加申込方法】下記URLより登録
https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/351976/lang-ja

詳しくは,URLをご参照ください.
【URL】http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai08.pdf