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イベント詳細情報

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件名電子情報通信学会 5研究会 合同研究会
開始日時2017/08/31 13:05
終了日時2017/09/01 16:40
場所弘前文化センター
連絡先okamu(at)rel.hiroshima-u.ac.jp,abe.yoshiteru(at)lab.ntt.co.jp
詳細 「光部品・電子デバイス実装・信頼性,一般(OECC報告)」を議題とする5研究会の合同研究会.
 「Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成」など4件の招待講演,「レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長」をはじめとする16件の一般講演を予定.

【主催】電子情報通信学会 信頼性研究会(R),機構デバイス研究会(EMD),電子部品・材料研究会(CPM),光エレクトロニクス研究会(OPE),レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)

詳しくは,URLをご参照ください.
【URL】http://www.ieice.org/ken/program/index.php?tgs_regid=9cc01d379c5348e2920b714b0c77669f3936c9c8745a9435ac5f88c58021eb96&lang=